特許

J-GLOBAL ID：200903077266933531

電界効果トランジスタの保護回路

発明者： 中村 光宏
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-150349
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332567
出願日： 2000年05月22日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：

【要約】【課題】 パターンレイアウトに対する制約及びプロセス工程を増やすことなく作製できる構成の電界効果トランジスタの保護回路を提供する。【解決手段】 本電界効果トランジスタの保護回路10は、ショットキーゲートHFETの保護回路であって、縦続接続させた5個の順方向のダイオード12からなるダイオード列14と、1個の逆方向のダイオード16とを並列接続した回路であって、HFETのゲート電極に接続されたゲート線Vggは、保護回路10を介して接地されている。ダイオード12、16は、ショットキーゲートHFETと一体的に形成されたダイオードであって、GaAs基板上に成膜されたn+ -GaAsキャップ層と、n+ -GaAsキャップ層上に形成されたショットキー電極とからなるショットキーバリア・ダイオードとして構成されている。

請求項（抜粋）：

電界効果トランジスタのゲート電極をサージ破壊から保護する保護回路であって、複数個の順方向の第1のダイオードを縦続接続させた列と、逆方向の第2のダイオードとを並列接続させてなるダイオード列を備え、ダイオード列を介して、電界効果トランジスタのゲート電極を接地していることを特徴とする電界効果トランジスタの保護回路。

IPC (6件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/095 ,  H01L 29/778

FI (4件)：

H01L 29/80 P ,  H01L 27/04 H ,  H01L 29/80 E ,  H01L 29/80 H

Fターム (16件)：

5F038BH04 ,  5F038BH11 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ20 ,  5F102FA06 ,  5F102GA14 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GL04 ,  5F102GM06 ,  5F102GQ03 ,  5F102GS02 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01