特許
J-GLOBAL ID：200903077268822257
半導体の不良解析システムおよび半導体検査装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-009915
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221156
出願日： 1994年01月31日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【目的】 半導体のフェイルビットを容易かつ高精度かつ高速に究明する半導体の不良解析システムと検査装置を提供する。【構成】 検査データ解析システム101は、製造ライン111で異物検査102、外観検査103から得られるデータと、ウェハ最終検査112で得られるデータと、FB解析システム105からのデータとを基に解析を行う。FB解析システム105は、ウェハ最終検査112で得られるデータとLSI設計情報107を用いて、FBの分布形状から不良箇所および不良誘発点を抽出し、不良原因ノウハウ情報108を参照して不良原因の推定113を行う。観察装置109は、FB解析システム105から渡された不良箇所および不良誘発点箇所の座標を観察し、不良原因および不良工程を特定する。分析装置110は、観察装置109で検出した異物等の成分分析を行い、不良原因および不良工程を特定する。
請求項（抜粋）：
半導体の不良情報をビット単位で収集する不良情報収集手段と、該半導体の不良情報を検査する検査手段と、該半導体の設計情報を記憶している記憶手段と、該不良情報収集手段および該検査手段の各出力情報と該記憶手段よりの設計情報とに基づき不良情報を解析する解析手段と、該解析手段による解析結果および前記不良情報の少なくとも一方を表示する表示手段と、前記不良情報の原因を推定する不良原因推定手段と、推定された該不良原因結果を不良発生工程にフィードバックする手段とを有することを特徴とする半導体の不良解析システム。
IPC (2件)：
引用特許：
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