特許
J-GLOBAL ID：200903077270217476
ボロンカーバイドとハフニウムとを含有した中性子吸収材料およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外7名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-603045
公開番号（公開出願番号）：特表2002-538472
出願日： 2000年03月02日
公開日（公表日）： 2002年11月12日
要約：
【要約】本発明は、機械的ダメージに大きな耐性を有した中性子吸収材料に関するものであり、より詳細には、クラックの伝搬に対して大きな耐性を有した中性子吸収材料に関するものである。本発明による中性子吸収材料は、微小サイズ分布を有した粉末の形態とされたボロンカーバイドとハフニウムとをベースとしている。本発明による中性子吸収材料の製造方法においては、両粉末を反応性焼結することによって、ボロンカーバイドとハフニウムボライド層とをベースとした材料を得ることができる。本発明による方法においては、ボロンカーバイドとハフニウムとを混合し、反応性焼結によって目的混合物を得る。
請求項（抜粋）：
中性子吸収材料であって、 ボロンカーバイドとハフニウムとを含有してなり、 ボロンが、原子数比率で材料の少なくとも65%を占めることを特徴とする中性子吸収材料。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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