特許

J-GLOBAL ID：200903077272286734

半導体ウェハの両面同時ポリッシング方法及び両面同時ポリッシング装置

発明者： 秋山 弘樹 ,  谷 毅彦 ,  植松 鋭
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-261400
公開番号（公開出願番号）：特開2001-088018
出願日： 1999年09月16日
公開日（公表日）： 2001年04月03日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】両面同時ポリッシング装置を用いて略円形状GaAsウェハの両面同時ポリッシング作業を行ったときに、チッピング不良やキズ不良件数を効果的に低減でき、それによって略円形状GaAsウェハの完成品の品質と歩留とを顕著に向上することができる半導体ウェハの両面同時ポリッシング方法及び両面同時ポリッシング装置を提供すること。【解決手段】 両面同時ポリッシング装置へ半導体ウェハ3をセットしてから該半導体ウェハの両面を同時に鏡面ポリッシングする半導体ウェハの両面同時ポリッシング方法において、前記両面同時ポリッシング装置の噛み合い部分で発生した摩耗粉を前記半導体ウェハの両面ポリッシング箇所内に入り込まないように純水シャワー8で水洗除去する。

請求項（抜粋）：

両面同時ポリッシング装置へ半導体ウェハをセットしてから該半導体ウェハの両面を同時に鏡面ポリッシングする半導体ウェハの両面同時ポリッシング方法において、前記両面同時ポリッシング装置の噛み合い部分で発生した摩耗粉を前記半導体ウェハの両面ポリッシング箇所内に入り込まないように水シャワーで水洗除去することを特徴とする半導体ウェハの両面同時ポリッシング方法。

IPC (3件)：

B24B 37/00 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622

FI (4件)：

B24B 37/00 K ,  B24B 37/00 Z ,  H01L 21/304 621 A ,  H01L 21/304 622 P

Fターム (8件)：

3C058AA07 ,  3C058AC01 ,  3C058AC05 ,  3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058DA06 ,  3C058DA09 ,  3C058DA18