特許
J-GLOBAL ID:200903077273324559

電解銅箔及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 倉内 基弘 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-207681
公開番号(公開出願番号):特開平10-036992
出願日: 1996年07月19日
公開日(公表日): 1998年02月10日
要約:
【要約】【課題】 180°C破断伸びが大きく、好ましくは180°Cにおける熱処理によっても再結晶しない耐熱安定性に優れた銅箔製造技術の確立。【解決手段】 銅箔中の塩素含有量が40ppm以下そして硫黄含有量が30ppm以下にコントロールすることにより180°Cでの伸び率が5%以上となる。銅箔中に含まれる塩素を3ppm以上あるいは銅箔中に含まれる硫黄を5ppm以上とすることで、再結晶温度を200°C以上とできる。塩化物イオン濃度が5ppm以下、チオ尿素及びその誘導体濃度が0.5〜2ppm未満の硫酸酸性硫酸銅溶液を電解液として用いる。
請求項(抜粋):
塩素含有量が40ppm以下そして硫黄含有量が30ppm以下で、180°Cでの伸び率が5%以上であることを特徴とする電解銅箔。
IPC (3件):
C25D 1/04 311 ,  C25C 1/12 ,  H05K 1/09
FI (3件):
C25D 1/04 311 ,  C25C 1/12 ,  H05K 1/09 A
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特表平4-501887
  • 特表平5-502062
  • 特表平4-501887
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