特許
J-GLOBAL ID：200903077273574148
III族窒化物半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-004073
公開番号（公開出願番号）：特開2005-197573
出願日： 2004年01月09日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：
【課題】 光の取出し効率が高く、信頼性の高いIII族窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 III族窒化物半導体発光素子は、サファイヤ基板101と、サファイヤ基板101上に形成されたIII族窒化物半導体110とを備える。III族窒化物半導体120は、第1の主表面101aに形成されたIII族窒化物半導体層としてのGaNバッファ層102およびn型GaN層103と、その上に形成されたMQW活性層104とを有する。サファイヤ基板101には、第2の主表面101bから第1の主表面101aへ延び、かつGaNバッファ層102およびn型GaN層103に到達する孔101hが形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の主表面と、前記第1の主表面と異なる第2の主表面とを有する基板と、
前記第1の主表面上に形成され、前記第2の主表面上に形成されていないIII族窒化物半導体とを備えたIII族窒化物半導体素子であって、
前記III族窒化物半導体は、前記第1の主表面上に形成されたIII族窒化物半導体層と、前記III族窒化物半導体層の上に形成された発光層とを含み、
前記基板には、前記第2の主表面から前記第1の主表面へ延び、かつ、前記III族窒化物半導体層に達する孔が形成されている、III族窒化物半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F041AA03
, 5F041CA05
, 5F041CA13
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA75
, 5F041CA77
, 5F041CA87
