特許
J-GLOBAL ID：200903077284205756
半導体基材及びその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-071467
公開番号（公開出願番号）：特開2000-331937
出願日： 2000年03月15日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：
【要約】【課題】 マスク層を用いる事に起因する種々の問題を回避し、かつ製造工程の簡略化を図ること、また従来困難であったAlGaNの選択成長ができない問題を解決する事を目的とする。さらにSi基板等を用いた場合の反りやクラックの発生を押さえることを目的とする。【解決手段】 1は基板であり、2は該基板1上に気相成長された半導体結晶をそれぞれ示している。基板1の結晶成長面には凸部11及び凹部12が形成されており、前記凸部11の上方部から専ら結晶成長が行われるよう構成されている。前記凸部11は、その幅aが0<a<1μmの範囲のサブミクロンオーダーとされ、且つ、上記基板表面に対して該凸部の占有する面積の割合が50%以下とされる。
請求項（抜粋）：
基板と該基板上に気相成長された半導体結晶とからなる半導体基材であって、前記基板の結晶成長面が凹凸面とされ、前記半導体結晶は該凹凸面における凸部の上方部から専ら結晶成長された半導体基材において、前記凸部は、その幅aが0<a<1μmの範囲とされ、且つ、上記基板表面に対して該凸部の占有する面積の割合が50%以下とされていることを特徴とする半導体基材。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C30B 29/38
, H01L 33/00
, H01S 5/323
H01L 21/205
, C30B 29/38 C
, C30B 29/38 D
, H01L 33/00 C
, H01S 5/323
