特許

J-GLOBAL ID：200903077286003204

ジクロロシラン及び六弗化タングステンからの接着性珪化タングステン膜の堆積

発明者： メイ チャン ,  スーザン テルフォード ,  メン チュー ツェン
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-246234
公開番号（公開出願番号）：特開平7-172810
出願日： 1994年10月12日
公開日（公表日）： 1995年07月11日
要約：

【要約】【目的】 コンフォーマリティ(conformality)が良好で、弗素含有量が低く、1つ以上の層をその上に持つシリコンウエハに対しての接着性が良好な珪化タングステンの堆積物を得るためのプロセスを提供することを目的とする。【構成】 低圧化学気相成長反応器において、ジクロロシラン及び六弗化タングステンから珪化タングステン(WSiX)を薄膜として堆積することができる。本発明者は、WSiX 膜の窒素の存在が基板上への、特にポリシリコン層上への接着性を低下させていることを見出だした。従って、接着性の膜を生成するためには、堆積操作の前に基板から、並びに低圧化学気相成長反応器から、窒素を除去する必要がある。チャンバは、キャリアガスとしても用いられるアルゴン等の不活性なガスの雰囲気を含有する必要がある。

請求項（抜粋）：

低圧化学気相成長チャンバ内で半導体基板の表面上にWSiX を堆積するプロセスであって、(a)基板の表面から窒素全てを除去する工程と、(b)圧力が0.5〜10トール且つ温度が約500〜575°Cの反応チャンバ内に、不活性なガスと、ジクロロシランと、六弗化タングステンとの混合物を通過させ(passing into)て、接着性のWSiX 膜が該基板上に得られる工程と、を含むWSiX 堆積プロセス。

IPC (2件)：

C01B 33/107 ,  H01L 21/285 301