特許

J-GLOBAL ID：200903077288211416

光電変換装置

発明者： 五福 伊八郎
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-184159
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013802
出願日： 1991年06月28日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 低コストで信頼性の高い高感度の光電変換装置を提供する。【構成】 非ドープの非晶質シリコン層102の上面側にn+ 型微結晶シリコン層103を形成し、その上にCr層104及びAl層105を形成し、これらの層103〜105を2つの領域に分離し、Cr層104及びAl層105からなる1組の電極を形成し、前記n+ 型微結晶シリコン層103の膜厚を膜中に含まれる結晶粒の粒径の2倍以上となる様にする。尚、101は基板であり、106はパッシベーション膜である。【効果】 電極層と非ドープの非晶質シリコン層との直接接触を防止でき、これにより暗電流増加や出力の経時変化を低減することができる。

請求項（抜粋）：

半導体膜の一方の面側に間隙をおいて対向配置された2個1組の電極を有し、且つ前記半導体膜が高濃度不純物添加され一方の半導体型を示す高濃度不純物層と、不純物が添加されないか又は微量にしか添加されない半導体層とからなり、前記高濃度不純物層が半導体膜の前記電極側の面に配置され該電極とほぼ同じ平面形状とされている光電変換装置において、前記高濃度不純物層が多結晶構造または非晶質中に微小な結晶粒を含む微結晶構造からなり、且つその膜厚が膜中に含まれる結晶粒の粒径の2倍以上であることを特徴とする光電変換装置。

IPC (5件)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/90 ,  H01L 31/02 ,  H01L 31/108

FI (3件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/02 A ,  H01L 31/10 C