特許

J-GLOBAL ID：200903077296274800

ドライエッチング装置

発明者： 生島 貴之 ,  白川 憲次 ,  山口 伸二 ,  花崎 稔
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  三菱電機エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 村上 博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-041435
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243596
出願日： 1999年02月19日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウエハ表面上に発生異物が付着しにくく、排気コンダクタンスが良好で、様々なエッチング条件に対応できる構造が簡単なドライエッチング装置を提供する。【解決手段】 半導体ウエハ7を処理面下向きのフェースダウン状態で上部電極部18に保持し、半導体ウエハ7に対向してエッチング処理ガスを供給するガス供給電極板16を下部電極部15に設け、両電極部の周辺から均等排気する主排気路8を備え、下部電極部15に下向きにテーパー状に傾斜した補助排気路12を設け、また補助排気路12の口にメッシュ状の金属シールド材19を配設し、主排気路8と補助排気路12の排気を下部電極部15の直下に設置したターボ分子ポンプ13により行う。

請求項（抜粋）：

被処理基板を処理面下向きのフェースダウン状態で保持する上部電極部と、被処理基板に対向してエッチング処理ガスを供給するガス導入口を設けた下部電極部と、前記両電極部の周辺から均等排気する主排気路とを備えたドライエッチング装置であって、下部電極部に下向きにテーパー状に傾斜した補助排気路を設けると共に、主排気路と補助排気路の排気を真空排気手段により行うことを特徴とするドライエッチング装置。

IPC (3件)：

H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H05H 1/46 A ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/302 B

Fターム (14件)：

4K057DA11 ,  4K057DA20 ,  4K057DD05 ,  4K057DM02 ,  4K057DM35 ,  4K057DM38 ,  4K057DN01 ,  5F004AA01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BB17 ,  5F004BB20 ,  5F004BC03 ,  5F004BD03