特許
J-GLOBAL ID:200903077302100606

透明導電性積層体及びそれを用いた分散型EL素子

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-163008
公開番号(公開出願番号):特開平11-010774
出願日: 1997年06月19日
公開日(公表日): 1999年01月19日
要約:
【要約】【解決手段】 透明な高分子基体の一方の面に、0.1μm〜10μmの高さの凹凸を有し、かつ、ヘイズ値が0.5%〜20%であるアンチニュートンリング層を形成し、該基体のもう一方の面に透明導電膜を形成した透明導電性積層体。【効果】 本発明の透明導電性積層体を分散型EL素子の透明電極として使用すると、表示体と発光素子とをそのまま重ねて配置しても干渉縞の発生が起こらず、表示体の画像品質を損なうことがない。
請求項(抜粋):
透明な高分子基体の一方の面に少なくとも、0.1μm〜10μmの高さの凹凸を有し、かつ、ヘイズ値が0.5%〜20%であるアンチニュートンリング層を形成し、該基体のもう一方の面に少なくとも透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電性積層体。
IPC (4件):
B32B 7/02 104 ,  B32B 7/02 103 ,  H01B 5/14 ,  H05B 33/28
FI (4件):
B32B 7/02 104 ,  B32B 7/02 103 ,  H01B 5/14 A ,  H05B 33/28
引用特許:
審査官引用 (3件)

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