特許

J-GLOBAL ID：200903077309137629

半導体装置及びその製造方法

発明者： 米田 義之 ,  辻 和人
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-289538
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142627
出願日： 1993年11月18日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】 本発明は半導体装置に係り、特に放熱性の向上と耐湿性の向上を実現することを目的とする。【構成】 下面に実装のための複数の半田ボール42,38を有する基板32と、この基板に搭載してある半導体素子31と、基板上に形成してあり、半導体素子を封止する樹脂パッケージ部33と、樹脂パッケージ部と密着して、樹脂パッケージ部及び基板を囲むアルミニウム製の枠部材34とより構成する。

請求項（抜粋）：

下面にバンプ(42)を複数有する基板(32)と、該基板上に搭載してあり、該バンプと電気的に接続されている半導体素子(31)と、上記基板上に形成してあり、上記半導体素子を封止する合成樹脂製の樹脂パッケージ部(33)と、該樹脂パッケージの合成樹脂の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する材料製であり、上記基板及び上記樹脂パッケージ部を密着して囲む枠部材(34)とよりなる構成としたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/08 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/28

FI (2件)：

H01L 23/12 J ,  H01L 23/12 L