特許

J-GLOBAL ID：200903077310905559

スタック形半導体構造体及びその形成方法

発明者： カール・セダーバウン ,  ローランド・シヤンクルー ,  マイリアム・コンブ ,  バトリツク・モーン
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 頓宮 孝一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-138643
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013575
出願日： 1991年05月15日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】自己アライメントによるスタック形ポリシリコン・ゲートPFETデバイスを形成する方法及びそれによって生じる構造体を提供する。【構成】スタック形半導体構造体は、その所定の部分が、PFETデバイスの本体をなすソース、ドレイン、及び、チャネル領域を形成し、少なくとも1つの領域(SP1)が第1の金属接点スタッドの1つと接触する複数の第1のポリシリコン・ランド(31-1、...)と、その所定の部分(35-1A、...)が、ソース領域(SP1)及びドレイン領域(DP1)と自己アライメントがとれるPFETデバイス(SP1)のゲート電極(GP1)を形成する、多量のドーピングを施された複数の第2のポリシリコン・ランド(35-1A、...)とを含んでいる。

請求項（抜粋）：

マスタ・スライス処理ステップの完了後、デバイス(N1、...)の活性領域(21)とポリシリコン・ライン(23-1、...)の両方または一方が形成された半導体ICベース構造に、自己アライメントによるスタック形ポリシリコンPFETデバイスを形成する方法において、a)ベース構造上において平坦化を施すこととが可能な、誘電材料による第1の厚い不活性化層(26/27)を被着させるステップと、b)前記第1の厚い不活性化層(26/27)に1組の第1のスタッド開口部(28-1、...)を形成し、少なくとも1つの活性領域(21)と前記ポリシリコン・ライン(23-1、...)の1つの両方または一方を露出させるステップと、c)導電材料の第1の層(30)を被着させて、前記第1のスタッド開口部に充填し、1組の第1の接点スタッド(30-1、...)を形成するステップと、d)該構造を平坦化し、前記第1の接点スタッド(30-1、...)の上部表面と前記第1の厚さの不活性化層(26/27)の表面が共面をなすようにするステップと、e)第1の導電性タイプの不純物による少量のドーピングを施された第1のポリシリコン層(31)を被着させるステップと、f)前記ポリシリコン層(31)にパターン形成を施して、PFETデバイスの本体(31-1)として用いられる複数の第1のポリシリコン・ランドと、所望の位置で前記第1の接点スタッド(30-1、...)と接触する相互接続導体の両方または一方を形成するステップと、g)薄い絶縁層(33)を被着させて、PFETデバイスのゲート誘電体を形成するステップと、h)ポリシリコンの第2の層(35)を被着させ、それにパターン形成を施して、前記PFETデバイスのゲート電極(35-1A)と相互接続導体(35-1B)のいずれかとして用いられる複数の第2のポリシリコン・ランド(35-1、...)を形成するステップと、i)第2の導電性タイプのイオンをブランケット注入し、ブロック・アウト・マスクとしてPFETデバイスの前記ゲート電極(35-1A)を用いて、とりわけ、前記第1のポリシリコン・ランド(31-1)に自己アライメントによってソース領域とドレイン領域を形成し、前記ゲート電極(35-1A)及び相互接続導体(31-2、35-1B)にドーピングを施すステップと、j)平坦化することが可能な誘電材料による第2の厚い、不活性化層(37/38)を被着させるステップと、k)前記第2の厚い不活性化層に1組の第2のスタッド開口部(28-1’、...)を形成して、前記第1のポリシリコン・ランド(31、...)の所望の部分と、前記第2のポリシリコン・ランド(35、...)の所望の部分と、前記第1の接点スタッド(30-1、...)の一部の全てまたはそのいずれかを露出させるステップと、l)導電性材料による第2の層(40)を被着させて、前記第2のスタッド開口部を充填し、1組の第2の接点スタッド(40-1、...)を形成するステップと、m) 該構造を平坦化して、前記第2の接点スタッド(40-1、...)の上部表面と前記第2の厚い、不活性化層(37/38)の表面が共面をなすようにするステップとから成ることを特徴とする、前記の方法。

IPC (3件)：

H01L 27/11 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/784

FI (3件)：

H01L 27/10 381 ,  H01L 21/88 P ,  H01L 29/78 311 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭58-124261
  
• 特開平2-073666
  
• 特開昭58-035969
  
• 特開昭61-125150