特許
J-GLOBAL ID：200903077312397399

マスクパターン作製方法

発明者：
田端 康子

田端 康子 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (10件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-213902
公開番号（公開出願番号）：特開2006-038896
出願日： 2004年07月22日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：
【課題】 半導体装置製造の光露光工程におけるプロセス余裕度が基準値を満たすマスクパターンを短時間に作製する。 【解決手段】 マスクパターン作製方法は、設計補正ルール設定処理S2によって作製された設計補正ルールD2に基づいて、設計データD1によって表される設計パターンを補正し、補正設計パターンを得る設計補正処理S1と、補正設計パターンに対して近接効果補正を行なってマスクデータD3によって表されるマスクパターンを得る近接効果補正処理S3を備えている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
所定の設計補正ルールに基づいて電子デバイスの設計パターンを補正し、前記電子デバイスを製造する際のフォトマスクを用いた光露光工程においてプロセス余裕度が基準値を満たすような補正設計パターンを得る第1の工程と、 前記補正設計パターンに基づいて前記フォトマスクのマスクパターンを得る第2の工程とを少なくとも備えることを特徴とするマスクパターン作製方法。
IPC (4件)：
G03F 1/08 ,  G06F 17/50 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/82
FI (4件)：
G03F1/08 A ,  G06F17/50 658M ,  H01L21/30 502P ,  H01L21/82 C
Fターム (11件)：
2H095BA01 ,  2H095BB02 ,  2H095BB36 ,  2H095BC09 ,  5B046AA08 ,  5B046BA06 ,  5F064CC09 ,  5F064DD13 ,  5F064GG03 ,  5F064HH06 ,  5F064HH09
引用特許：
出願人引用 (2件)

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