特許
J-GLOBAL ID：200903077312503105

三次元配線及び静電容量型圧力センサの製造方法

発明者：
宮下 治三

宮下 治三 について


出願人/特許権者：
アネルバ株式会社

アネルバ株式会社 について


代理人 (1件)： 中西 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-037369
公開番号（公開出願番号）：特開2004-245746
出願日： 2003年02月14日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：
【課題】本発明は、不純物拡散工程を不要として生産性の向上を図ることが可能で一層の微細化に対応できる三次元配線と、均一な特性の静電容量型圧力センサを歩留まり良く製造する方法を提供することを目的とする。【解決手段】絶縁性基板の表裏面に形成された導電性パターンが貫通穴を通して連結された三次元配線の製造方法であって、絶縁性基板に非貫通穴を形成する工程と、絶縁性基板と導電性基板とを接合する工程と、導電性基板をエッチングして所定の形状にパターニングする工程と、非貫通穴の内部の導電性基板が露出するまで絶縁性基板をエッチングする工程と、貫通穴の側面及び底面に導電性膜を形成する工程と、からなることを特徴とする。また、導電性基板の代わりに、SOI等の積層基板を用いても良い。さらに静電容量型圧力センサの製造方法は、以上の三次元配線工程を用いることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁性基板の表裏面に形成された導電性パターンが貫通穴を通して連結された三次元配線の製造方法であって、絶縁性基板に所定の深さの非貫通穴を形成する工程と、該絶縁性基板と導電性基板とを接合する工程と、該導電性基板をエッチングして所定の形状にパターニングする工程と、前記導電性基板が露出するまで前記絶縁性基板をエッチングし前記非貫通穴を貫通させる工程と、該貫通穴の側面及び底面に導電性膜を形成する工程と、からなることを特徴とする三次元配線の製造方法。
IPC (4件)：
G01L9/00 ,  B81C1/00 ,  G01L1/14 ,  H01L29/84
FI (4件)：
G01L9/00 305B ,  B81C1/00 ,  G01L1/14 K ,  H01L29/84 Z
Fターム (22件)：
2F055AA40 ,  2F055BB01 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE25 ,  2F055FF43 ,  2F055GG01 ,  4M112AA01 ,  4M112BA07 ,  4M112CA01 ,  4M112CA03 ,  4M112CA13 ,  4M112DA04 ,  4M112DA08 ,  4M112DA09 ,  4M112DA11 ,  4M112DA12 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA13 ,  4M112EA18 ,  4M112FA20
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM