特許

J-GLOBAL ID：200903077316359190

半導体基板の製造方法

発明者： 藤川 隆男 ,  石井 孝彦 ,  成川 裕 ,  門口 誠
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 安田 敏雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-091652
公開番号（公開出願番号）：特開平11-288938
出願日： 1998年04月03日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 ポリイミド等の有機材料製の電気絶縁膜を形成した半導体基板に、アルミおよび銅系の配線膜を形成する。【解決手段】 コンタクトホールもしくはビアホール等のホール部が形成された低誘電率な有機系電気絶縁膜2を有する半導体基板1の素子形成面に金属配線膜3を形成した後、当該半導体基板を高温高圧の雰囲気下にさらして金属配線膜の下の前記ホール部に残存する気孔を埋めるととも前記絶縁膜と配線膜との相互を密着させる。

請求項（抜粋）：

コンタクトホールもしくはビアホール等のホール部が形成された低誘電率の有機系電気絶縁膜を有する半導体基板の素子形成面に金属配線膜を形成した後、当該半導体基板を高温高圧の雰囲気下にさらして金属配線膜の下の前記ホール部に残存する気孔を埋めるととも前記絶縁膜と配線膜との相互を密着することを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  C23C 14/20 ,  C23C 14/58

FI (3件)：

H01L 21/88 B ,  C23C 14/20 Z ,  C23C 14/58 A