特許
J-GLOBAL ID：200903077316721999
炭化ケイ素単結晶の成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小橋 信淳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-037208
公開番号（公開出願番号）：特開平5-208900
出願日： 1992年01月28日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：
【要約】【目的】 黒鉛ルツボを使用することなく、ガス反応によって生成したSiCから炭化ケイ素単結晶を成長させる。【構成】 チャンバー10内をガス反応室20及び結晶成長室30に区分する。ガス反応室20にガス配管21から導入された混合ガス40は、成分相互の反応によって固相SiC42を生成する。固相SiC42は、ヒータ35による加熱で昇華し、種結晶を取り付けた単結晶支持具37の上に結晶成長する。種結晶支持具37は、炭化ケイ素単結晶の成長条件に合わせて回転及び下降される。【効果】 ガス反応によって生成したSiCから炭化ケイ素単結晶43を成長させるため、極めて純度が高く且つ不純物の少ない製品が得られる。しかも、製造上から加わる制約がなく、大口径,長尺の単結晶であっても容易に製造することができる。
請求項（抜粋）：
導入した混合ガスから固相SiCを生成させる反応室と、該反応室から送り込まれた前記固相SiCを昇華させて種結晶の上に成長させる結晶成長室とを備え、チャンバーの内部を区分して前記反応室及び前記結晶成長室が設けられていることを特徴とする炭化ケイ素単結晶の成長装置。
IPC (2件)：
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