特許

J-GLOBAL ID：200903077323093456

半導体ウェハの製造方法

発明者： 飯尾 順一 ,  土屋 総二郎 ,  深谷 顕成 ,  加納 史義 ,  中久木 清
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 碓氷 裕彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-094897
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297650
出願日： 1998年04月07日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 ウェハ自体の剛性力を高めて容易にウェハの薄肉化が可能な半導体ウェハの製造方法を提供すること。【解決手段】 ウェハ張り合わせ工程においてウェハ1a、1bをホットメルト接着剤4により接合し、その接合させた状態のウェハを研削工程および研磨工程で薄肉化し、ウェハ剥離工程においてウェハ1a、1bを剥離させる。こうすることにより、研削工程および研磨工程が進むにつれてウェハ1a、1bの厚みが薄くなってきても、2枚のウェハを重ねているが故にウェハ全体としては十分な厚みを有することになる。そのため、ウェハ全体としては充分な剛性力を保持したままで研削工程および研磨工程を進めることができ、研削中あるいは研磨中にウェハが破壊することなく極めて厚みの薄いウェハを製造することができる。

請求項（抜粋）：

第1のウェハおよび第2のウェハを接合する第1の工程と、前記第1のウェハおよび前記第2のウェハの非接合面を削ることにより前記第1のウェハおよび前記第2のウェハに対して薄肉加工を施す第2の工程と、薄肉加工を施された前記第1のウェハおよび前記第2のウェハを剥離する第3の工程と、を含むことを特徴とする半導体ウェハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 631 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304

FI (3件)：

H01L 21/304 631 ,  H01L 21/304 622 W ,  H01L 21/304 622 P