特許
J-GLOBAL ID：200903077323843250
化学気相成長装置および化学気相成長法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-138066
公開番号（公開出願番号）：特開平11-329979
出願日： 1998年05月20日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 複数枚の基板に同時に成膜を行う際に、それらの基板上の膜のバッチ内膜厚均一性を向上させることにより、複数枚の基板上に成膜を行うごとに生じるバッチ内膜厚分布のばらつきを抑え、複数枚の基板上に所望の膜厚の膜を安定して形成することができる化学気相成長装置および化学気相成長法を提供する。【解決手段】 炉芯管1内で150枚程度のウェーハに同時に成膜を行う場合、炉芯管1の洗浄処理後から炉内蓄積膜厚が約1μmになるまでの間の、炉内実温のバッチ内温度分布の時間変化を制御部16に学習させる。炉内実温が制御部16に学習させたバッチ内温度分布になるように、成膜シーケンス累積時間にともなって制御部16によりヒーター13a〜13dを連続的に徐々に制御し、ウェーハ10への膜の成膜速度が150枚程度のウェーハにおいて互いにほぼ等しくなるようにする。
請求項（抜粋）：
炉芯管と、上記炉芯管の周囲に設けられた複数の加熱手段とを有し、上記炉芯管内で複数の基板に同時に成膜を行うようにしたバッチ式の化学気相成長装置において、上記複数の基板に同時に成膜を行う際に、成膜速度が上記複数の基板において互いにほぼ等しくなるように、上記複数の加熱手段を制御するようにしたことを特徴とする化学気相成長装置。
IPC (5件)：
H01L 21/205
, C23C 16/46
, C23C 16/52
, C30B 25/10
, C30B 25/16
H01L 21/205
, C23C 16/46
, C23C 16/52
, C30B 25/10
, C30B 25/16
