特許
J-GLOBAL ID：200903077328179456
不揮発性記憶素子およびこれを利用した不揮発性記憶装置ならびにこの記憶装置の駆動方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲岡 耕作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-133621
公開番号（公開出願番号）：特開平6-350098
出願日： 1993年06月03日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【目的】不揮発性記憶装置において、過剰消去を防止すること。【構成】ドレイン側一部領域上にのみONO膜Mを有するメモリトランジスタ20A〜20Dを、行方向および列方向に沿ってマトリクス状に配列した。情報の消去時には、選択したメモリセル21A〜21D内のメモリトランジスタ20A〜20Dのゲート-基板間にFNトンネル電流を発生させるようにした。【効果】ONO膜Mに注入されたホールは、エレクトロンと結合して情報を消去する。ONO膜M以外の領域に注入されたホールは、そのままトンネルしてゲートに抜ける。よって、過剰消去は発生しない。
請求項（抜粋）：
電荷を注入したり、取り出したりすることにより情報の記憶を行うものであって、予め定める第1の導電型式をした半導体基板と、上記半導体基板の表面層に所定の間隔をあけて形成され、上記第1の導電型式とは反対の第2の導電型式をしたソース領域およびドレイン領域と、上記ソース領域およびドレイン領域で挟まれるように生じるチャネル領域のドレイン領域側一部領域上に形成され、チャネル領域で発生した電荷を蓄積する電荷蓄積膜と、上記チャネル領域の残りの領域上に形成され、チャネル領域で発生した電荷をトンネルさせ得るゲート絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜および電荷蓄積膜上に形成されたゲート電極とを含むことを特徴とする不揮発性記憶素子。
IPC (5件)：
H01L 29/788
, G11C 16/02
, G11C 16/06
, H01L 27/115
, H01L 29/792
H01L 29/78 371
, G11C 17/00 530 A
, G11C 17/00 307
, H01L 27/10 434
