特許

J-GLOBAL ID：200903077334886377

半導体記憶装置

発明者： 大石 司
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-020336
公開番号（公開出願番号）：特開平7-230690
出願日： 1994年02月17日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：

【要約】【目的】 データ読出時における消費電流を低減するとともに高速でデータの読出を行なうことのできる半導体記憶装置を実現する。【構成】 ドライブアンプ2a,2bが、動作時には第1の導電線1a,1b上に伝達された選択メモリセルデータに従って第2の導電線3aおよび3bを駆動する。このドライブアンプ2aおよび2bは振幅制限機能を備えており、第2の導電線3aおよび3bの電位がフルスイングするのを防止する。第2の導電線3aおよび3bの電位振幅が抑制されるため、充放電電流が低減されるとともに高速で信号電位が確定し、データを高速で読出すことができる。

請求項（抜粋）：

各々が情報を記憶する複数のメモリセルと、前記複数のメモリセルが接続され、前記複数のメモリセルのうちの選択されたメモリセルとデータの授受を行なうための第1の導電線と、前記第1の導電線と並列に設けられる第2の導電線と、前記第1の導電線上の信号電位に従って前記第2の導電線を前記第1の導電線上の信号電位に対応する電位レベルへと駆動するためのドライブアンプ手段を備え、前記ドライブアンプ手段は前記第2の導電線上の信号の電位振幅が第1の電源電位と前記第1の電源電位よりも低い第2の電源電位の間の電位振幅よりも小さくなるように前記第2の導電線上の振幅変化を抑制するための手段を含み、前記第2の導電線上の信号電位に対応するデータ信号を伝達するためのデータ読出線と、選択信号に応答して前記第2の導電線を前記データ読出線へ接続するためのゲート手段とを備える、半導体記憶装置。