誘電体磁器およびその製法、並びに積層型電子部品およびその製法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-296671
公開番号（公開出願番号）：特開2004-107200
出願日： 2003年08月20日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】誘電体磁器の絶縁破壊電圧を向上でき、誘電体層を薄層化しても静電容量の温度特性を向上できる誘電体磁器およびその製法、並びに積層型電子部品およびその製法を提供する。【解決手段】金属元素として、Ba、Ti、希土類元素、MgおよびMnを含有するペロブスカイト型複合酸化物からなる主結晶粒子21と、該主結晶粒子21により形成される二面間粒界相23および三重点粒界相25と、を具備してなる誘電体磁器であって、前記三重点粒界相25にM4R6O(SiO4)6型結晶相(Mはアルカリ土類元素から選ばれる少なくとも1種、Rは希土類元素から選ばれる少なくとも1種)が析出してなる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

金属元素として、Ba、Ti、希土類元素、MgおよびMnを含有するペロブスカイト型複合酸化物からなる主結晶粒子と、該主結晶粒子により形成される二面間粒界相および三重点粒界相と、を具備してなる誘電体磁器であって、前記三重点粒界相に少なくともM4R6O(SiO4)6型結晶相(Mはアルカリ土類元素から選ばれる少なくとも1種、Rは希土類元素から選ばれる少なくとも1種)が析出してなることを特徴とする誘電体磁器。

IPC (3件)：

C04B35/46 , H01B3/12 , H01G4/12

FI (4件)：

C04B35/46 D , H01B3/12 303 , H01G4/12 358 , H01G4/12 364

Fターム (36件)：

4G031AA01 , 4G031AA03 , 4G031AA04 , 4G031AA05 , 4G031AA06 , 4G031AA07 , 4G031AA08 , 4G031AA11 , 4G031AA19 , 4G031AA30 , 4G031BA09 , 4G031CA01 , 4G031CA05 , 4G031GA01 , 4G031GA08 , 4G031GA16 , 5E001AE02 , 5E001AE03 , 5E001AE04 , 5E001AH01 , 5E001AH06 , 5E001AH08 , 5E001AH09 , 5E001AJ01 , 5E001AJ02 , 5G303AA01 , 5G303AB02 , 5G303AB20 , 5G303BA12 , 5G303CA01 , 5G303CB03 , 5G303CB17 , 5G303CB18 , 5G303CB30 , 5G303CB35 , 5G303CB40

引用特許：

出願人引用 (1件)

誘電体磁器及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-157671 出願人：太陽誘電株式会社

審査官引用 (7件)

積層型コンデンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-078006 出願人：京セラ株式会社
誘電体磁器及びその製法並びに積層セラミックコンデンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-054845 出願人：京セラ株式会社
セラミックコンデンサ原料粉末の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-018441 出願人：株式会社村田製作所

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