特許
J-GLOBAL ID:200903077336024631
放電プラズマ処理方法及びその装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
河備 健二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-369483
公開番号(公開出願番号):特開2002-057440
出願日: 2000年12月05日
公開日(公表日): 2002年02月22日
要約:
【要約】【課題】 大気圧条件下で安定した放電状態を実現させることができ、簡便な装置かつ、少量の処理用ガスで回路基板の処理が可能な放電プラズマ処理方法及びその装置の提供。【解決手段】 大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間に処理ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られるプラズマを回路基板に接触させることを特徴とする回路基板の放電プラズマ処理方法及び装置。
請求項(抜粋):
大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間に処理ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られるプラズマを回路基板に接触させることを特徴とする回路基板の放電プラズマ処理方法。
IPC (4件):
H05K 3/26
, B01J 19/08
, H01L 21/3065
, H01L 21/31
FI (4件):
H05K 3/26 A
, B01J 19/08 H
, H01L 21/31 C
, H01L 21/302 B
Fターム (35件):
4G075AA30
, 4G075BC10
, 4G075CA14
, 4G075CA15
, 4G075CA47
, 4G075DA02
, 4G075DA05
, 4G075EA01
, 4G075EB42
, 4G075EB43
, 4G075EC21
, 4G075FB02
, 4G075FB04
, 4G075FB06
, 4G075FB12
, 4G075FC11
, 4G075FC15
, 5E343AA02
, 5E343AA12
, 5E343BB08
, 5E343BB24
, 5E343BB61
, 5E343EE08
, 5E343FF23
, 5E343GG11
, 5E343GG20
, 5F004AA16
, 5F004BA04
, 5F004BA20
, 5F004BB18
, 5F004BD04
, 5F045AA08
, 5F045AE29
, 5F045DQ10
, 5F045EH13
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