特許
J-GLOBAL ID:200903077339110890

半導体装置の電源切り換え回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山川 政樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-271085
公開番号(公開出願番号):特開平8-138388
出願日: 1994年11月04日
公開日(公表日): 1996年05月31日
要約:
【要約】【目的】 比較的少ない回路素子数で、電源電位に依存せず安定動作する半導体装置の電源切り換え回路を提供する。【構成】 各電源電位V(I)は、直列接続されたPチャネルエンハンスメント型トランジスタ132(2I-1),132(2I)を介して出力36に接続されており、出力対象となる電源電位V(I)のトランジスタ132(2I-1),132(2I)の入力35(2I-1),35(2I)には接地電位が供給され、他の電源電位V(K)のトランジスタ132(2K-1),132(2K)のうち、電源電位側のトランジスタ132(2K-1)の入力35(2K-1)には電源電位V(K)が供給されるとともに、出力36側のトランジスタ132(2K)の入力35(2K)に出力36の電位が供給される。
請求項(抜粋):
半導体装置内に配設され、装置内の所定の回路に対し出力線を介してN個(Nは2以上の整数)の電源電位のいずれかを切り換え出力する半導体装置の電源切り換え回路において、各電源電位と出力線との間に直列接続されたPチャネルエンハンスメント型の第1および第2のトランジスタをそれぞれ備え、前記第1のトランジスタは、ソース端子および基板電位が対応する電源電位に接続され、前記第2のトランジスタは、ドレイン端子および基板電位が出力線に接続されるとともに、ソース端子が前記第1のトランジスタのドレイン端子に接続され、出力対象となる電源電位に対応する第1および第2のトランジスタのゲート端子に前記出力線の電位より前記第1および第2のトランジスタのしきい値分以上低い所定の電位を供給し、他の電源電位に対応する第1のトランジスタのゲート端子にそれぞれ対応する電源電位を供給するとともに、他の電源電位に対応する第2のトランジスタのゲート端子に前記出力線の電位を供給するようにしたことを特徴とする半導体装置の電源切り換え回路。
FI (2件):
G11C 17/00 309 D ,  G11C 17/00 309 K
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 集積回路用スイツチ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-026830   出願人:テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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