半導体エピタキシャルウエハ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井内龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-290902
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142390
出願日： 1993年11月19日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【構成】 Si基板11の上にSiエピタキシャル層12が形成された半導体エピタキシャルウエハであって、Si基板11とSiエピタキシャル層12との界面の一部に酸化物層16が形成されている半導体エピタキシャルウエハ。【効果】酸化物層16、あるいは酸化物層16とSiエピタキシャル層12との界面15は優れたIG効果を有する。従って、この半導体エピタキシャルウエハを用いて半導体装置を製造すれば、酸化物層16や界面15が混入してきた重金属を効率よく捕獲し、欠陥等が少なく誤動作等を生じさせない半導体装置、特に微細な集積回路を有する半導体装置を製造することができる。

請求項（抜粋）：

基板上に、該基板と同種又は異種の半導体エピタキシャル層が形成された半導体エピタキシャルウエハであって、前記基板と前記半導体エピタキシャル層との界面の一部に、酸化物層又は窒化物層が形成されていることを特徴とする半導体エピタキシャルウエハ。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭56-162840
特開昭63-271941

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