特許

J-GLOBAL ID：200903077351032616

シリコン単結晶引上げ方法

発明者： 倉垣 俊二
出願人/特許権者： 株式会社SUMCO
代理人 (1件)： とこしえ特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-144564
公開番号（公開出願番号）：特開2009-292654
出願日： 2008年06月02日
公開日（公表日）： 2009年12月17日
要約：

【課題】他の特性に影響を与えずに実効偏析係数を改善することにより、比抵抗歩留りを改善したシリコン単結晶引上げ方法を提供する。【解決手段】ワイヤケーブルを回転させつつ引上げるシリコン単結晶の製造方法において、単結晶棒中の成長軸方向におけるドーパントの実行偏析係数が小さくなるように、単結晶棒の成長軸方向の当該結晶位置に応じてシリコン溶融液に印加する水平磁場強度を変化させもので、磁場を印加しないで単結晶を引上げ成長した場合の実効偏析係数の変化(A)に対して、成長軸方向の位置に応じて磁場強度を変化させて磁場を印加することにより(B)、ドーパントの偏析係数による単結晶棒の成長軸方向の実効偏析係数の増大を低減することができ、その結果、引上げ成長された単結晶棒の比抵抗がある程度長い区間においてほぼ同じ値に維持される(C)。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

ワイヤケーブルの下端に設けられた種結晶をるつぼ内のシリコン融液に浸し、前記ワイヤケーブルを回転させつつ引上げることにより、上昇する前記種結晶の下部に単結晶棒を成長させるシリコン単結晶引上げ方法において、 前記単結晶棒中の成長軸方向におけるドーパントの実行偏析係数が小さくなるように、前記単結晶棒の成長軸方向の当該結晶位置に応じて前記シリコン溶融液に印加する水平磁場強度を変化させることを特徴とするシリコン単結晶引上げ方法。

IPC (2件)：

C30B 29/06 ,  C30B 15/04

FI (3件)：

C30B29/06 502H ,  C30B29/06 502G ,  C30B15/04

Fターム (9件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EB10 ,  4G077EJ02 ,  4G077HA12 ,  4G077PA16 ,  4G077PB14 ,  4G077PF51

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 単結晶引き上げ方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-068429   出願人：住友金属工業株式会社

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-079789
  
• 特開昭63-079789
  
• 特開昭62-182190
  
• 特開昭63-017289