特許
J-GLOBAL ID:200903077352739870

電源用半導体装置の温度特性検査方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐藤 強
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-369926
公開番号(公開出願番号):特開2002-168898
出願日: 2000年12月05日
公開日(公表日): 2002年06月14日
要約:
【要約】【課題】 簡単に製品検査を正しく行うことができる電源用半導体装置の温度特性検査方法を提供する。【解決手段】 電源IC1は、高精度電源回路2、記憶素子3、その他の機能回路4から構成されている。電源IC1の温度特性を検査するには、測定温度範囲(-40 ゚C〜110 ゚C)の最高温度(110 ゚C)における電源IC1からの出力電圧を記憶素子3に記憶する。そして、基準室温(25 ゚C)における電源IC1からの出力電圧を測定したときは、その出力電圧と記憶素子3に記憶されている出力電圧との電圧差及び最高温度と基準室温との温度差に基づいて測定温度範囲における出力電圧の変動幅を予測し、その変動幅及び基準室温の出力電圧が温度仕様を満足したときは電源IC1は良品であると判断する。
請求項(抜粋):
所定の検査温度範囲の最高温度若しくは最低温度において電源用半導体装置から出力された出力電圧を記憶手段に記憶する第1の測定を実行し、基準室温において前記電源用半導体装置から出力された出力電圧を測定する第2の測定を実行し、この第2の測定による出力電圧と前記記憶手段に記憶されている出力電圧との電圧差及び第1の測定を実行したときの温度と基準室温との温度差に基づいて所定の検査温度範囲における前記電源用半導体装置からの出力電圧の変動幅を予測し、その変動幅及び基準室温における出力電圧の何れもが所定の温度仕様を満足するときは前記電源用半導体装置は良品であると判断することを特徴とする電源用半導体装置の温度特性検査方法。
IPC (2件):
G01R 31/00 ,  G01R 31/316
FI (2件):
G01R 31/00 ,  G01R 31/28 C
Fターム (12件):
2G032AA00 ,  2G032AA07 ,  2G032AA09 ,  2G032AB02 ,  2G032AB13 ,  2G032AC03 ,  2G032AD01 ,  2G032AE08 ,  2G036AA18 ,  2G036AA19 ,  2G036BA37 ,  2G036BB09

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