ECRスパッタリング装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：本庄武男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-160598
公開番号（公開出願番号）：特開平6-002128
出願日： 1992年06月19日
公開日（公表日）： 1994年01月11日
要約：

【要約】【目的】高密度プラズマにより生成したイオンを効率よくターゲットに入射させると共に,マイクロ波導入窓にスパッタ粒子が付着しない構成により,導体成膜等を高速に実施することのできるECRスパッタリング装置を提供する。【構成】磁場発生装置3,4によりカスプ磁場を真空容器2内に印加して,このカスプ磁場による磁力線方向をマイクロ波導入窓5から真空容器側壁に配置したターゲット6方向になるよう形成し,マイクロ波導入窓5位置に形成されたスリット開口10aからマイクロ波と処理ガスを真空容器2内に導入することにより,前記磁場とマイクロ波による電場とにより処理ガスをプラズマ化して生成されたイオンは,カスプ磁場による磁力線方向に流れて集中的にターゲット6に照射され効率的にスパッタ粒子が生成される。また,マイクロ波導入窓位置に形成されたスリット開口10aからマイクロ波と処理ガスを真空容器内に導入することにより,スパッタ粒子がマイクロ波導入窓5に付着することがない。

請求項（抜粋）：

磁場発生装置による磁場と,マイクロ波による電場とが印加された真空容器内に処理ガスを導入し,該処理ガスを前記磁場と電場とによる電子サイクロトロン共鳴によってプラズマ化し,該プラズマを前記真空容器内に配したスパッタリング用ターゲットに照射して,該ターゲットからスパッタされた粒子を前記真空容器内に配置した試料上に堆積させるECRスパッタリング装置において,前記真空容器の中心軸方向の一端に設けられ,マイクロ波導波管が接続されたマイクロ波導入窓をスリット開口を形成した導電性板で覆い,該スリット開口から真空容器内にマイクロ波を導入するマイクロ波導入手段と,前記マイクロ波導入窓と前記導電性板との間に所定間隔の空間を設け,該空間に前記処理ガスを導入して,前記スリット開口から処理ガスを真空容器内に供給する処理ガス導入手段と,前記真空容器内に磁場を印加する一対の磁気コイルの第1の磁気コイルと第2の磁気コイルとを真空容器の中心軸と同心に配置すると共に,前記第1の磁気コイルと第2の磁気コイルとの励磁電流を互いに逆方向にして,前記マイクロ波導入窓から前記真空容器側壁方向に通過する磁力線を発生させるカスプ磁場を前記真空容器内に印加する磁場発生装置とを装備し,前記ターゲットを前記第1の磁気コイルと第2の磁気コイルとの略中間位置の前記真空容器内壁面に配置したことを特徴とするECRスパッタリング装置。

IPC (5件)：

C23C 14/34 , G01N 24/14 , G01R 33/64 , H01L 21/203 , H01L 21/302

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-298158
特開平3-122273
特開平4-110472

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