特許

J-GLOBAL ID：200903077359104527

半導体素子の製造方法

発明者： 工藤 淳 ,  渡辺 正則 ,  菱田 有二
出願人/特許権者： 株式会社イオン工学研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-027054
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231653
出願日： 2001年02月02日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】【課題】800°C以上の熱履歴を経た場合、イオン注入欠陥がアニールされることに伴い抵抗値が顕著に減少してしまうことが知られている。これらの理由から、ガリウム及び窒素を含む化合物半導体を用いた電子素子を微細化、高速化、高効率化し、或いは集積化、光素子と一体化するために必要となる耐熱性の高い高抵抗領域形成技術が求められていた。【解決手段】サファイア(0001)基板7上にAlNバッファ層8’、アンドープ層8、及びn型AlxGa1-xN層9をMOCVD法により形成した化合物半導体基板を用い、フォトマスクを通してZn或いはCのイオン注入を行い素子間分離領域10,10’,10’’を形成する。更に、ソース・ドレイン電極、それぞれ12,12’及び13,13’を形成しオーミック性低コンタクト抵抗を得るためにアニールを行った後、ゲート電極11,11’を形成して電界効果型トランジスターを作製する。

請求項（抜粋）：

ガリウム及び窒素を含む化合物半導体からなる基板、薄膜、或いはこれらの積層構造にイオンを注入して高抵抗領域を形成する工程において、注入されるイオン種がZn又はCであることを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/265 601 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 21/265 601 J ,  H01L 21/265 Z