特許
J-GLOBAL ID：200903077360135967
半導体露光方法およびその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-199087
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047631
出願日： 1991年08月08日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】【目的】本発明の目的は、X線縮小露光法に対応可能な高精度かつ安価なマスクとウェハの相対位置合わせ方法を提供するものである。【構成】裏面アライメント法によってウェハ裏面のウェハマークを従来の安価な可視光を用いた光学式裏面マーク検出器で検出する一方、反射縮小光学系を介して形成されるマスク上の基準マークのX線像とステージ上に設けられたマスク校正マークとの重なり具合をX線マーク検出器で位置検出し、両検出器間の光軸ずれ量をあらかじめ校正しておき、その校正値に基づいて露光すべき位置を補正する。【効果】本発明によれば、従来の可視光を用いたマスクとウェハの相対あわせ法にくらべ、簡略安価な装置構成にもかかわらず極めて高い精度でマスクとウェハの位置合わせが可能となる。
請求項（抜粋）：
マスク上の図形を投影光学系を用いて試料上に投影露光する露光方法において、マスクを該投影光学系の所定位置に位置付ける工程と、ステージ上に該試料を積載して該投影光学系の像投影面内を移動させると共に該ステージ位置を検出する工程と、上記投影光学系を介して、マスク上の基準マークと上記移動ステージ上に設けられたマスク用校正マークとの光学的相対位置関係が所定の位置関係にあることを検出すると共にその時のステージ位置を記憶するマスク位置校正工程と、上記ステージ上に設けられたウェハ基準マークと、ステージ下面に設けられた裏面マーク検出器との相対位置関係が所定の位置関係にあることを検出すると共にその時のステージ位置を記憶するウェハ位置校正工程と、上記マスク位置校正時と上記ウェハ位置校正時の両ステージ位置の差に基づいて、上記マスクと投影光学系とウェハ位置検出器の相互の空間的位置関係を知る工程と、ウェハ裏面に設けたウェハマークを上記裏面マーク検出器で検出した後、上記空間的位置関係に基づいてステージ移動量を補正することにより、所望のウェハ表面位置に上記マスク上の図形を投影露光する工程、を含むことを特徴とする露光方法。
IPC (2件)：
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