特許

J-GLOBAL ID：200903077363771295

非導電性プラスチックからなるパターン化されたプラスチック型中の組み込まれた電極の製法、組み込まれた電極を有する非導電性プラスチックからなるパターン化されたプラスチック型、組み込まれた電極を有する非導電性プラスチックからなるパターン化されたプラスチック型を含む分析系及び構造体の製造のための材料の析出方法

発明者： ホルガー ライネッケ ,  フリードリン フランツ ネーカー
出願人/特許権者： マイクロパーツ ゲゼルシャフト フュア ミクロストルクトゥーアテヒニク ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-264543
公開番号（公開出願番号）：特開平9-125255
出願日： 1996年10月04日
公開日（公表日）： 1997年05月13日
要約：

【要約】【課題】 非導電性プラスチックからなるパターン化されたプラスチック型中の組み込まれた電極の製法。【解決手段】 電磁放射線に対して透過性である支持体プレート上に、パターン化されたプラスチック型を製造し、金属化合物の溶液でプラスチック型のパターンを充填し、支持体プレートの裏面から、支持体プレートを通して、電磁放射線で金属化合物の溶液を照射し、この場合、電極は、パターン下地の上に形成され、かつパターン化されたプラスチック型のパターンから金属化合物の溶液を除去する。【効果】 析出の際に得られた構造体に欠陥、突起もしくは空洞は生じない。

請求項（抜粋）：

非導電性プラスチックからなるパターン化されたプラスチック型中の組み込まれた電極を製造する方法において、電磁放射線に対して透過性である支持体プレート上に、パターン化されたプラスチック型を製造し、金属化合物の溶液でプラスチック型のパターンを充填し、支持体プレートの裏面から、支持体プレートを通して、電磁放射線で金属化合物の溶液を照射し、この場合、電極は、パターン下地の上に形成され、かつパターン化されたプラスチック型のパターンから金属化合物の溶液を除去することを特徴とする、非導電性プラスチックからなるパターン化されたプラスチック型中の組み込まれた電極の製法。

IPC (4件)：

C23C 18/14 ,  B29C 33/40 ,  C23C 18/16 ,  B29L 31:34

FI (3件)：

C23C 18/14 ,  B29C 33/40 ,  C23C 18/16