特許
J-GLOBAL ID:200903077365024241
光電子発生方法及び装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高矢 諭 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-025898
公開番号(公開出願番号):特開平11-224630
出願日: 1998年02月06日
公開日(公表日): 1999年08月17日
要約:
【要約】【課題】 発生した電子をRF加速したとき、低いエミッタンスが得られるようにする。【解決手段】 フォトカソード12の表面に対して斜めの方向から光ビーム42を照射して、フォトカソード12の正面から光電子を発生させる際に、前記フォトカソード12に入射される光ビーム42の断面形状を、ビーム入射方向が短い楕円形として、フォトカソード12表面上の光ビーム形状が、真円又は略円形となるようにする。
請求項(抜粋):
フォトカソード表面に対して斜めの方向から光ビームを照射して、フォトカソード正面から光電子を発生させる際に、前記フォトカソードに入射される光ビームの断面形状を、ビーム入射方向が短い楕円形とし、フォトカソード表面上の光ビーム形状が、真円又は略円形となるようにしたことを特徴とする光電子発生方法。
IPC (2件):
FI (2件):
H01J 37/073
, G21K 1/00 E
引用特許:
審査官引用 (3件)
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特開平4-322049
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高輝度スピン偏極電子線源
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-068713
出願人:株式会社アプコ
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特開昭56-058302
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