特許

J-GLOBAL ID：200903077365564084

ZnO薄膜トランジスタ

発明者： 金 昌 ▲ジュン▼ ,  宋 利 憲 ,  姜 東 勳 ,  朴 永 洙
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (2件)： 小野 由己男 ,  稲積 朋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-103958
公開番号（公開出願番号）：特開2007-281486
出願日： 2007年04月11日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：

【課題】ZnO薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】ZnOで形成された半導体チャンネルと、半導体チャンネルに電界を形成するものであって、導電性ZnOによるゲートと、ゲートと半導体チャンネルとの間に介在するものであって、絶縁性ZnOによるゲート絶縁層と、要素を保護するように要素による積層構造上に設けられるものであって、絶縁性ZnOによるパッシベーション層とを備えるZnO薄膜トランジスタである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ZnOで形成された半導体チャンネルと、 前記半導体チャンネルに電界を形成するものであって、導電性ZnOで構成されるゲートと、 前記ゲートと前記半導体チャンネルとの間に介在するものであって、絶縁性ZnOで構成されるゲート絶縁層と、 前記要素を保護するように前記要素による積層構造上に設けられるものであって、絶縁性ZnOで構成されるパッシベーション層と、 を備えることを特徴とするZnO薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 29/417

FI (6件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/50 M

Fターム (31件)：

4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104EE14 ,  4M104GG08 ,  4M104HH20 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110EE08 ,  5F110EE11 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF28 ,  5F110GG04 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110HK11 ,  5F110HK16 ,  5F110HK17 ,  5F110HK33 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN34

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国特許第6,808,743号明細書
  
• 米国特許第6,664,565号明細書