熱電変換材料と熱電変換素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池条重信 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-243118
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068744
出願日： 1999年08月30日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】 Si基熱電変換材料のゼーベック係数、電気伝導率を低下させることなく、材料の熱伝導率を大きく低下させて、性能指数の大幅な向上が実現できるSi基熱電変換材料並びに熱電変換素子の提供。【解決手段】 Si基熱電変換材料にC,Ge,Snを添加することにより、Si基材料中のキャリアー濃度を変化させずに熱伝導率を大幅に低下させることができ、また熱伝導率を下げるには添加量が5〜10原子%が最適で、4族元素並びにp型半導体またはn型半導体となすために添加した添加元素が、多結晶Siの粒界部に析出した構造を持つことにより、キャリアー濃度が1017〜1021(M/m3)で、熱伝導率が50W/m・K以下のP型またはN型半導体が得られる。

請求項（抜粋）：

Siに、Ge,C,Snのうち少なくとも1種を5〜10原子%、SiをP型半導体またはN型半導体となすための添加元素のうち少なくとも1種を0.001原子%〜20原子%含有し、多結晶Siの粒界部に前記Ge,C,Snの1種以上あるいはさらに添加元素の1種以上が析出した結晶組織を有する熱電変換材料。

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