特許

J-GLOBAL ID：200903077371771911

半導体装置

発明者： 山本 真司 ,  八木田 秀樹
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-288526
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140466
出願日： 1992年10月27日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】 フリップチップ接合方法において、ICチップの裏面に放熱板を接着することにより、ICチップの放熱特性を改善する。【構成】 多層配線基板111の上にICチップ101をフリップチップ接合方法により接着する。さらにICチップ裏面ならびに導体層114上にダイ接着剤103を塗布し、放熱板102を接着して、熱を加えダイ接着剤を焼結させる。この放熱板により空気との接触面積が増大し、チップ裏面からの放熱特性が改善されるだけでなく、機密構造が得られることにより信頼性が向上し、なおかつ導体層114をスルーホール113を介してGNDに接続することによって、ICチップ裏面の電位をGNDと同電位に保つことができる。

請求項（抜粋）：

チップ裏面に凹凸を形成したICチップと、配線基板とを有し、前記ICチップ表面と前記配線基板の導体層が対向し、なおかつ前記ICチップのパッドと前記配線基板の導体層接続部分とが一致するようフリップチップ接合したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭48-101085
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-264799   出願人：三菱電機株式会社