特許
J-GLOBAL ID：200903077372274687
半導体装置の製造方法とその製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-030891
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244138
出願日： 1993年02月19日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 半導体基板上の絶縁膜に微小な配線用貫通孔などの開口部をもつ半導体装置の製造に関し、配線金属膜のリフローによる貫通孔内への被覆埋込み性を向上させる製造方法及び製造装置を提供する。【構成】 半導体基板1上の絶縁膜2に開口部3を形成した上に金属膜4を成膜した後、熱処理して金属原子5を表面拡散させ、開口部3内に金属膜4をリフローして埋込み半導体装置を製造する。その際汚染被曝量が27L(L=1×10-6Torr×sec)以下となる条件で金属膜4の成膜とその熱処理を同一真空室内で連続施行する。また同一真空室内に基板上に金属膜4の成膜段階と金属膜を熱処理して金属原子5を表面拡散させ、前記開口部3内に金属膜で金属膜4をリフローし埋込むリフロー段階とが各々独立に設置されており、また半導体基板1の搬送手段を有している。
請求項（抜粋）：
半導体基板(1) 上の絶縁膜(2) に開口部(3) を形成し、該半導体基板(1) 上に金属膜(4) を成膜し、該金属膜(4) 表面を熱処理して金属原子(5) を表面拡散し、該開口部(4) 内に該金属膜(4) をリフローして埋め込む半導体装置の製造方法において、該半導体基板(1) 上に金属膜(4) を成膜する工程と、該金属膜(4) 表面を熱処理する工程との間の、L=1×10-6Torr×sec (真空度×曝露時間)で表示される汚染に曝される量が、27L以下となる条件で該金属膜(4) の成膜と該金属膜(4) 表面の熱処理を同一チャンバ内(6) で連続して行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/285
, H01L 21/3205
