特許

J-GLOBAL ID：200903077374554288

金属用研磨液及びそれを用いた研磨方法

発明者： 冨賀 敬充
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-064753
公開番号（公開出願番号）：特開2007-242969
出願日： 2006年03月09日
公開日（公表日）： 2007年09月20日
要約：

【課題】絶縁膜、バリア金属膜及び導体膜を有する基板を、同一金属用研磨液で連続的に導体膜の残膜とバリア金属膜とを研磨することが可能であり、配線部と絶縁膜凸部の平坦性が良好で、かつ、スクラッチを低減することが可能な研磨方法及びそれに用いる金属用研磨液を提供することである。【解決手段】半導体デバイス製造において銅又は銅合金からなる導体膜とバリア金属膜との化学的機械的研磨に用いる金属用研磨液であって、下記成分(1)、下記成分(2)及び下記成分(3)を含むことを特徴とする金属用研磨液。成分(1):1次粒子径が10〜35nmで、会合度が5以下であるコロイダルシリカ粒子成分(2):1次粒子径が50〜100nmで、会合度が5以下あることを特徴とするコロイダルシリカ粒子成分(3):酸化剤成分(4):カルボキシル基を2つ以上有するアミノカルボン酸【選択図】なし

請求項（抜粋）：

半導体デバイス製造において銅又は銅合金からなる導体膜とバリア金属膜との化学的機械的研磨に用いる金属用研磨液であって、下記成分(1)、成分(2)、成分(3)及び成分(4)を含むことを特徴とする金属用研磨液。 成分(1):1次粒子径が10〜35nmで、会合度が5以下であるコロイダルシリカ粒子 成分(2):1次粒子径が50〜100nmで、会合度が5以下あることを特徴とするコロイダルシリカ粒子 成分(3):酸化剤 成分(4):カルボキシル基を2つ以上有するアミノカルボン酸

IPC (3件)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14

FI (5件)：

H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622X ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z

Fターム (6件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CB01 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 金属用研磨液及びそれを用いた基板の研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-308667   出願人：日立化成工業株式会社
• 化学機械研磨用水系分散体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-098094   出願人：ジェイエスアール株式会社
• 特開昭49-122432号公報