窒化物半導体素子及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大澤斌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-031377
公開番号（公開出願番号）：特開2002-237655
出願日： 2001年02月07日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：

【要約】【課題】動作電圧が低く、しかも横モードの安定性に優れた窒化物半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 GaNコンタクト層42を最上層に有する窒化物系III-V族積層構造を基板上に形成する工程と、コンタクト層にダメージを与えないでコンタクト層上に成膜できるSiO2 膜からなる第1の保護膜44と、第1の保護膜の膜密度より緻密でコンタクト層に逆六角錘状ピットが生成するのを抑制するSiNX 膜からなる第2の保護膜46とのストライプ状積層マスクをコンタクト層上に形成する工程と、積層マスクをエッチングマスクにして、コンタクト層を含む積層構造を所定深さまでエッチングしてストライプ状リッジ部を形成する工程と、積層マスク上を含めて全面に埋め込み層34を無選択成長させる工程と、積層マスクをエッチング停止層にして埋め込み層をエッチングして、積層マスク上の埋め込み層を除去し、かつ積層マスク以外の領域の埋め込み層をコンタクト層の上面まで除去する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

窒化物系エピタキシャル成長層を最上層に有するストライプ状リッジ部の両側を、窒化物系エピタキシャル成長層に対して腐食性の原料ガスを使って成長させた埋め込み層で埋め込んだ構造を備える窒化物半導体素子において、埋め込み層を成長させる際、窒化物系エピタキシャル成長層の表面を損傷することなく窒化物系エピタキシャル成長層上に成膜できる第1の保護膜を窒化物系エピタキシャル成長層上に成膜し、次いで第1の保護膜より膜質が緻密で、腐食性の原料ガスの浸透、拡散を抑制する第2の保護膜を第1の保護膜上に成膜して、第1の保護膜及び第2の保護膜を有する2層以上の積層保護膜からなるマスクを窒化物系エピタキシャル成長層上に形成し、次いで積層マスク上を含む全面に埋め込み層を無選択成長させることにより、ピット状の腐食痕を表面に有しない窒化物系エピタキシャル成長層を最上層に有するリッジ部の埋め込み構造を備えることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (3件)：

H01S 5/223 , H01L 21/205 , H01L 21/318

FI (3件)：

H01S 5/223 , H01L 21/205 , H01L 21/318 B

Fターム (43件)：

5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC19 , 5F045AD09 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045BB16 , 5F045CA12 , 5F045DB05 , 5F045HA03 , 5F045HA13 , 5F045HA14 , 5F058BA05 , 5F058BB01 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BF07 , 5F058BF17 , 5F058BF30 , 5F058BJ10 , 5F073AA13 , 5F073AA21 , 5F073AA51 , 5F073AA53 , 5F073AA74 , 5F073BA06 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073CB10 , 5F073CB11 , 5F073DA05 , 5F073DA06 , 5F073DA07 , 5F073DA25 , 5F073DA32 , 5F073EA24 , 5F073EA28 , 5F073EA29

前のページに戻る