特許

J-GLOBAL ID：200903077378885580

半導体レーザの自動温度制御回路

発明者： 加藤 利之 ,  佐々木 亮 ,  中村 利男
出願人/特許権者： 株式会社エヌ・イー・エス ,  沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-354178
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168446
出願日： 1999年12月14日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】 自動温度制御回路の動作開始温度を高くした場合に発生する経年劣化による動作寿命の短縮という問題と、動作開始温度を低く設定した場合に発生する消費電力の増大という問題のバランスを取った半導体レーザの自動温度制御回路を実現することを目的とする。【解決手段】 この発明の半導体レーザの自動温度制御回路では、制御部40は温度検出部20によって測定された温度が、第1の温度の時は第1の制御電流値をペルチェ素子31に供給し、第2の温度の時は第1の制御電流値よりも大きな第2の制御電流値をペルチェ素子31に供給し、第1の温度と第2の温度の中間の第3の温度の時は第1の制御電流値と第2の制御電流値の中間の第3の制御電流値をペルチェ素子31に供給する構成となっている。

請求項（抜粋）：

半導体レーザと、前記半導体レーザの温度を測定しする温度検出部と、前記半導体レーザを冷却するためのペルチェ素子と、前記温度検出部の測定結果に基づいて前記ペルチェ素子に制御電流を供給する制御部とを有し、前記制御部は、前記温度検出部によって測定された温度が、前記第1の温度の時は第1の制御電流値を前記ペルチェ素子に供給し、前記第2の温度の時は前記第1の制御電流値よりも大きな第2の制御電流値を前記ペルチェ素子に供給し、前記第1の温度と前記第2の温度の中間の第3の温度の時は前記第1の制御電流値と前記第2の制御電流値の中間の第3の制御電流値を前記ペルチェ素子に供給することを特徴とする半導体レーザの自動温度制御回路。

Fターム (4件)：

5F073BA09 ,  5F073EA28 ,  5F073FA25 ,  5F073GA23