特許

J-GLOBAL ID：200903077387142744

半導体装置

発明者： 吉松 直樹
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-138345
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332170
出願日： 1999年05月19日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 金属ベース板と絶縁基板とを半田付けにより接合した場合において、前記金属ベース板における放熱フィンの取付け面側に凹型状の反りが発生せず、放熱フィン(図示せず)に取付けた状態において、該放熱フィンとの間の隙間が生ぜず、良好な放熱性が得られる回路基板を備えた半導体装置を安価に提供する。【解決手段】 銅ベース板1の一方の主面に、半導体素子3を実装したセラミック基板2を半田7にて接合し、他方の主面におけるセラミック基板2の接合面と対向する面上にセラミック基板2と略等しい熱膨張係数を有するモリブデン板を接合して銅ベース板1の表裏の応力のバランスを保持することにより、銅ベース板1の他方の主面側に凹形状の反りの発生を防止し、平坦な平面を得る。

請求項（抜粋）：

金属ベース板と、一方の主面が前記金属ベース板の一方の主面に接合され、他方の主面に半導体素子を実装した絶縁基板とを備えた半導体装置において、前記金属ベース板の他方の主面における前記絶縁基板の接合面と対向する面上に該絶縁基板と実質的に等しい熱膨張係数を有する補助ベース板を接合したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/36 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (2件)：

H01L 23/36 C ,  H01L 25/04 C

Fターム (4件)：

5F036AA01 ,  5F036BB08 ,  5F036BC06 ,  5F036BD01