特許
J-GLOBAL ID：200903077387924114
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-020000
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218209
出願日： 1992年02月05日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 コンタクト穴の開口部を上層配線側で広くなるように形成し、かつ該上層配線は開口部以外に形成したN型多結晶シリコン層あるいはタングステンシリサイド層とコンタクト穴を介して下層配線に接続するアルミ配線との積層構造とすることにより、コンタクト穴での断線およびストレスマイグレーションによる断線を防止しつつ低コンタクト抵抗を実現する。【構成】 P型シリコン基板101に形成したN型拡散層102よりなる下層配線に対し、下側に小さく上側に広い開口部を有するコンタクト穴を絶縁膜103に形成する。該開口部以外の領域にはN型多結晶シリコン層104が形成されている。該開口部を介してアルミ配線106をN型拡散層102に接続する。アルミ配線106およびN型多結晶シリコン層104が上層配線をなしている。
請求項（抜粋）：
半導体装置基板上に形成された絶縁膜に開口されたコンタクト穴を介して、下層配線層と上層配線層とを電気接続した半導体装置において、前記コンタクト穴の開口径は、2種類の大きさを有し、前記下層配線層に接触した部分の第1の開口径よりも前記上層配線に接触した部分の第2の開口径の方が大きく、前記2種類の開口径に対応するコンタクト穴の側壁は、階段状の断面を有し、前記上層配線層は、前記コンタクト穴以外に配線された第1の導電層と、該第1の導電層を覆って前記コンタクト穴を介して、前記下層配線層と電気接続された第2の導電層の2種類からなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/90
, H01L 21/3205
, H01L 29/46
