特許

J-GLOBAL ID：200903077390348868

シリコン半導体ウェーハ及びその製造方法

発明者： 石神 俊一郎 ,  降屋 久 ,  堀口 清一
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-211043
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078645
出願日： 1994年09月05日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】 支持基板となる第1シリコンウェーハ中のドーパントのヒ素又はアンチモンが活性層となる第2シリコンウェーハに拡散していない、即ち活性層の抵抗率を変化させないシリコン半導体ウェーハを得る。【構成】 支持基板となるn+型の第1シリコンウェーハ11と活性層となるn-型又はp型の第2シリコンウェーハ12とを貼り合わせたシリコン半導体ウェーハであって、第1シリコンウェーハ11の第2シリコンウェーハ12との接合界面に格子間シリコン原子リッチ層14が形成されたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

支持基板となるn+型の第1シリコンウェーハ(11)と活性層となるn-型又はp型の第2シリコンウェーハ(12)とを貼り合わせたシリコン半導体ウェーハであって、前記第1シリコンウェーハ(11)の前記第2シリコンウェーハ(12)との接合界面に格子間シリコン原子リッチ層(14)が形成されたことを特徴とするシリコン半導体ウェーハ。

IPC (4件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/265 ,  H01L 29/78 658 K