特許

J-GLOBAL ID：200903077392380173

細孔充填鋳型を用いた非シリカ系メソポーラス酸化物の細孔壁の結晶化方法

発明者： 堂免 一成 ,  野村 淳子 ,  加藤 徳光
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 宮本 晴視
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-127961
公開番号（公開出願番号）：特開2003-321211
出願日： 2002年04月30日
公開日（公表日）： 2003年11月11日
要約：

【要約】【課題】 結晶化熱処理前の細孔の維持、および細孔構造やその均一性をできる限り維持できる細孔壁の結晶性を改善する方法の提供【解決手段】 メソ多孔体の前駆体の少なくとも細孔内に前記細孔壁の結晶化熱処理時に形状を維持し、前記熱処理後に焼成、水、または酸またはアルカリを添加した水により除去可能な充填鋳型を形成させ、該充填鋳型の存在下で、前記結晶化熱処理をし、次いで前記充填鋳型を焼成、水、または酸またはアルカリを添加した水により除去して結晶性を向上させたメソ多孔質を形成する方法。

請求項（抜粋）：

メソ多孔体の前駆体の少なくとも細孔内に前記細孔壁の結晶化熱処理時に形状を維持し、前記熱処理後に焼成、水、または酸またはアルカリを添加した水により除去可能な充填鋳型を形成させ、該充填鋳型の存在下で、前記結晶化熱処理をし、次いで前記充填鋳型を焼成、水、または酸またはアルカリを添加した水により除去して結晶性を向上させたメソ多孔質を形成する方法。

IPC (3件)：

C01B 13/32 ,  C01G 23/047 ,  C01G 35/00

FI (3件)：

C01B 13/32 ,  C01G 23/047 ,  C01G 35/00

Fターム (24件)：

4G042DB10 ,  4G042DB12 ,  4G042DB15 ,  4G042DB24 ,  4G042DB31 ,  4G042DC03 ,  4G042DD01 ,  4G042DD06 ,  4G042DD11 ,  4G042DE06 ,  4G042DE14 ,  4G047CA02 ,  4G047CB04 ,  4G047CB05 ,  4G047CC03 ,  4G047CD04 ,  4G047CD07 ,  4G048AA03 ,  4G048AB02 ,  4G048AB06 ,  4G048AC08 ,  4G048AD04 ,  4G048AD06 ,  4G048AE07