不揮発性半導体記憶装置及びその記憶方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-348874
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193151
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】大容量フラッシュEEPROMが直面している種々の問題を性能を落とすことなく解決できる不揮発性半導体記憶装置及びその記憶方法を提供することを目的としている。【構成】ゲート絶縁膜の少なくとも一部にシリコン酸化膜よりもキャリアをトラップしやすい絶縁膜を設け、この絶縁膜にキャリアをトラップしてしきい値電圧を変化させるか否かに応じてデータを記憶するMISトランジスタを単位記憶セルとし、読み出し時に上記MISトランジスタのソース領域として働く拡散層における端部近傍のゲート絶縁膜中のみにキャリアをトラップさせてプログラムを行うことを特徴としている。これによって、酸化膜の欠陥や放射線の入射に対する耐性の向上、構造並びに製造工程の簡単化、読み出し電流の増大、書き込み時の選択性の確保とディスターブの問題等を性能を低下させることなく解決できる。

請求項（抜粋）：

ゲート絶縁膜の少なくとも一部にシリコン酸化膜よりもキャリアをトラップしやすい絶縁膜を備え、この絶縁膜にキャリアをトラップすることによりしきい値電圧を変化させるか否かに応じてデータを記憶する単位記憶セルとして働くMISトランジスタと、データの読み出し時に上記MISトランジスタのソース領域として働く拡散層における端部近傍の上記ゲート絶縁膜中のみにキャリアをトラップさせ、上記単位記憶セルに対するプログラムを行うプログラム手段とを具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , G11C 16/02 , G11C 16/06

FI (3件)：

H01L 29/78 371 , G11C 17/00 307 A , G11C 17/00 530 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭62-045182
特開昭52-045287
特開平3-242978

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