特許

J-GLOBAL ID：200903077397181799

薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： 市村 公二
出願人/特許権者： 大日本印刷株式会社
代理人 (1件)： 志村 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-014836
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211914
出願日： 1994年01月13日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】 基板の下面側からの背面露光を行ってチャネル層あるいはソース電極およびドレイン電極のパターニングを行う際に、十分な露光を行う。【構成】 ガラス基板1上に、Crからなるゲート電極2が形成され、その上に、SiNxからなるゲート絶縁層3を挟んで、a-Si:Hからなるシリコンチャネル層4 ́およびa-Si1-xCx:Hからなる炭化物チャネル層8が形成される。更に、不純物ドープ層5D,5Sを介してドレイン電極6D,ソース電極6Sが形成されている。ドレイン電極6Dおよびソース電極6Sは、ゲート電極2をマスクとした背面露光によりパターニングされる。炭化物チャネル層8は十分な光透過性を有するため、シリコンチャネル層4 ́を50オングストローム程度の厚みとすれば、良好な電気的特性を確保しつつ、背面露光時に十分な光透過性を確保できる。

請求項（抜粋）：

透明な基板上に不透明なゲート電極を形成し、この上に透明なゲート絶縁層を介して半導体チャネル層を形成し、この半導体チャネル層に対してソース電極およびドレイン電極を接続して構成される薄膜トランジスタにおいて、前記半導体チャネル層の少なくとも一部を、シリコンの炭化物を含む層で構成したことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 H ,  H01L 29/78 311 P