特許
J-GLOBAL ID：200903077397903190
共振型集積マイクロビームセンサの静圧補償
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-505245
公開番号（公開出願番号）：特表平9-500726
出願日： 1994年07月19日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：
【要約】温度/静圧補償型差圧センサが、可撓性の感圧ダイアフラムが形成された半導体基板を具備する。ダイアフラムの周縁には感圧共振マイクロビームが作り込まれる。温度補償用として、第2の共振マイクロビームセンサが、基板の圧力管または他の支持物への取り付け点を越えた周縁部の位置において基板に作り込まれる。静圧補償用として、もう一つの第2の共振マイクロビームをダイアフラムから離れた静圧に対する基板の応答が最大となる位置に配置することもできる。さらにもう一つの共振マイクロビームを、ダイアフラムのたわみにより生じる信号を強めるためにダイアフラムの中心に取り付けることもできる。また、基準体、該基準体を取り囲む硬いリム、及び該基準体をリムに対して支持する一連の細い可撓性のブリッジを具備する加速度計も開示される。該ブリッジは、加速度に応答してたわむことによって、基準休がリムに対して相対的に運動することを可能ならしめる。ブリッジの少なくとも1つには、そのたわみにより生じる誘導歪みによって加速度を測定するための共振マイクロビームを組み付けられる。温度補償用に、第2の共振マイクロビームがリムに沿って作り込まれる。
請求項（抜粋）：
かなり硬い第1の領域及び該第1の領域より可撓性で第1のパラメータの変化に応答してたわむ第2の領域を有する基板と、 上記第2の領域のたわみに応答して長さ方向に伸縮するよう該第2の領域に沿って設定されるように互いに反対側の第1及び第2の端部が上記基板に関して固定された細長い第1振動子で、該伸縮によって第1の固有共振周波数が変化する第1振動子と、 上記第1のパラメータの変化に実質上影響されることなく第2のパラメータの変化に応答して変化する第2の固有共振周波数を有する上記基板に関して固定された細長い第2振動子と、 上記第1及び第2の共振周波数を検出するとともに、該第1及び第2の固有共振周波数に基づいて第2のパラメータの影響を補償した第1のパラメータを表す出力を発生させるための手段と、を具備した検出デバイス。
IPC (4件)：
G01D 3/028
, G01L 1/10
, G01L 9/00
, G01P 15/12
G01D 3/04 D
, G01L 1/10 A
, G01L 9/00 C
, G01P 15/12
, G01D 3/04 F
