特許
J-GLOBAL ID：200903077405331746
光半導体装置およびそれを用いたレーザ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-236144
公開番号（公開出願番号）：特開平5-075211
出願日： 1991年09月17日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】 半導体構造内に周期構造を有する光半導体装置およびそれを用いたレーザ装置に関し、半導体の光学的性質を利用し、新たな機能を有する光半導体装置およびそれを用いたレーザ装置を提供することを目的とする。【構成】 半導体構造内の所定方向に関して、実効屈折率の周期構造と光学的利得を生じさせることのできる利得の周期構造とを有し、かつ実効屈折率の周期構造と利得の周期構造は周期が等しく、位相がずれている。
請求項（抜粋）：
半導体構造内の所定方向に関して、実効屈折率の周期構造(1)と光学的利得を生じさせることのできる利得の周期構造(2)とを有し、かつ実効屈折率の周期構造と利得の周期構造は周期が等しく、位相がずれている光半導体装置。
IPC (2件)：
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