集積回路及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小橋一男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-314700
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221194
出願日： 1994年12月19日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】 0.5ミクロン以下の最小ライン幅を有する集積回路及びその製造方法を提供する。【構成】エッチストップ層及びゲート上の側壁スペーサに対し窒化シリコン(又は、反射率が低く且つ酸化膜に対してエッチング選択性を有するその他の絶縁物質)を使用して、活性区域及び第一ポリシリコンに対し自己整合された余裕ゼロのコンタクトを形成する。

請求項（抜粋）：

集積回路の製造方法において、(a)フィールド絶縁膜の領域によって分離された実質的にモノリシックな半導体物質の露出された表面部分を有する基板を用意し、(b)前記表面部分の上にゲート絶縁膜を形成し、(c)前記ゲート絶縁膜及び前記フィールド絶縁膜の上に第一薄膜導体層を形成し、(d)前記第一導体層の上に第一薄膜絶縁層を形成し、(e)前記フィールド絶縁膜の上で前記第一導体層へのコンタクトが形成される位置から前記第一絶縁層を選択的に除去し、(f)前記第一導電体層及びその上側の前記第一絶縁層を異方性エッチングして所望の位置にトランジスタゲートを与え且つ前記半導体物質の前記表面部分へのコンタクトが形成されるべき位置を露出させるパターンに前記導体層を残存させ、(g)酸化を行なって前記導体層の露出部分及び前記表面部分の上に酸化物層を成長させ、(h)全体的に第二絶縁物質層を付着形成し且つ前記第二絶縁物質層を異方性エッチングを行なって前記導体層の端部に隣接して側壁スペーサを残存させ、(i)全体的に層間絶縁膜を付着形成し、前記層間絶縁膜は前記第一及び第二絶縁層のものとは異なる組成を有しており、且つ前記第一及び第二絶縁膜と相対的に前記層間絶縁膜を選択的にエッチングするエッチング物質を使用してエッチングを行なってコンタクト位置を露出させ、(j)第二薄膜導体層を付着形成して前記第一導体層及び前記半導体物質の露出部分へのコンタクトを形成する、上記各ステップを有することを特徴とする方法。

IPC (6件)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 21/3065 , H01L 21/768 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 27/08 102 D , H01L 21/302 J , H01L 21/90 C , H01L 29/78 301 M , H01L 29/78 301 Y

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平4-137535
特開平2-159054
特開平3-155640

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