特許
J-GLOBAL ID:200903077416161400
光半導体素子モジュールおよびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高田 守 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-266709
公開番号(公開出願番号):特開平8-130320
出願日: 1994年10月31日
公開日(公表日): 1996年05月21日
要約:
【要約】【目的】 結合効率が高く、レンズの実装精度が緩く、安価な光半導体素子モジュールを提供する。【構成】 光ファイバ10と光結合される光半導体レーザダイオード1と、前記レーザダイオード1を搭載するステム6と、前記レーザダイオード1と前記光ファイバ10との間に光通過穴を有し、前記ステム6に固定されたキャップ8と、前記キャップ8の光通過穴部に低融点硝子16で取り付けられ、直径が0.8mm以上、屈折率が1.9以上であって、かつ表面に反射防止膜を施した、重ランタンフリント硝子からなる球レンズ7bとを備えた光半導体素子モジュール。
請求項(抜粋):
光ファイバと光結合される光半導体素子と、前記光半導体素子を搭載するステムと、前記光半導体素子と前記光ファイバとの間に光通過穴を有し、前記ステムに固定されたキャップと、前記キャップの光通過穴部に低融点硝子により取り付けられ、直径が0.8mm以上、屈折率が1.9以上であって、かつ表面に反射防止膜を施した、重ランタンフリント硝子からなる球レンズとを備えたことを特徴とする光半導体素子モジュール。
IPC (5件):
H01L 31/0232
, G02B 6/42
, H01L 25/04
, H01L 25/18
, H01L 33/00
FI (2件):
H01L 31/02 C
, H01L 25/04 Z
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