特許

J-GLOBAL ID：200903077417729044

レーザーアニール方法およびレーザーアニール装置

発明者： 楠本 直人 ,  高山 徹 ,  米澤 雅人
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-317526
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139346
出願日： 1995年11月10日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【目的】 珪素膜に対してレーザーアニールを行う際に、レーザー光の照射エネルギー密度が異なっても、アニール効果を一定とする。【構成】照射されるレーザー光の照射エネルギー密度の変位幅に従って珪素膜の加熱温度を設定する。照射されるレーザー光の照射エネルギー密度の変位幅が大きい場合は基板の加熱温度を相対的に低く設定し、照射されるレーザー光の照射エネルギー密度の変位幅が小さい場合には基板の加熱温度を相対的に高く設定する。

請求項（抜粋）：

レーザー光の照射による珪素膜に対するアニール方法であって、照射されるレーザー光の照射エネルギー密度の変位幅に従って珪素膜の加熱温度を設定することを特徴とするレーザーアニール方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 627 G